Вчені з університету Фудань у Китаї встановили новий світовий рекорд для напівпровідникових накопичувачів, створивши флеш-пам’ять, яка може зберігати дані з неймовірною швидкістю один біт за 400 пікосекунд. Цей новий пристрій, позначений як PoX, є енергонезалежним і значно перевершує найшвидші сучасні енергозалежні технології, такі як SRAM і DRAM. Для порівняння, новий пристрій швидший в 2,5 рази за найшвидші аналоги та до 25 разів швидший за повільніші. В ході проєкту вчені використовували алгоритми штучного інтелекту, що допомогли оптимізувати умови тестування та прискорити розвиток технології. Команда вчених зараз працює над перетворенням пристрою на комерційний продукт. Результати дослідження були опубліковані у журналі Nature.
